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flashDB
FlashDB每次添加KVDB都会触发GC检查异常状态
发布于 2024-02-29 16:47:17 浏览:161
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图1 为FlashDB TreatKVBD 的 Block1 ![截图分区1.png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20240229/f922607797d13f8451bb83ffc3bb5941.png) 图2 为FlashDB TreatKVBD 的 Block2 ![截图分区2.png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20240229/0a36c1a0e8438f66cf25d865225b7d7a.png) 图3 为TreatKVBD 异常日志打印 ![截屏3.png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20240229/3926b9142dfdf2af76eeebf4be24759a.png) FlashDB每次添加KVDB都会触发GC检查异常状态。 请教技术高手帮忙分析一下原因。 2024.3.1 编辑 测试代码如下: [TestCode-master.zip](https://club.rt-thread.org/file_download/e0242e3ac4236a51) 2024.3.2 编辑 抽个时间查找找这个问题 KVDB存储策略根据https://gitee.com/Armink/EasyFlash/blob/master/docs/zh/design.md 理论上KVDB 存储策略如下图所示: ![图1.png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20240302/108cb4600b9967d7eb58a31c94eebc9e.png) 但实际测试发现KVDB存储策略是按如下图所示: ![图2.png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20240302/50511243dfc5cb9d90673e8d9467d4c4.png) 根据仔细发现 ![图3.png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20240302/77cb446fdbe30e482763a7aeeb4b6573.png) sector->remain 这个参数只是保存在RAM 并没有写入ROM进行保存 根据这个现象推论: 若是处于运行状态下测试老化测试读写。理论上是没有问题的. 但加上复位系统测试,问题显而易见。 没有保存区块的剩余空间,每当存储读取sector->remain为0都会判断该区块剩余空间都为零(即使只写了一点)。 所以造成每次写KVBD数据的时候都会触发GC检查从而导致没有实现最初存储策略,可能会造成大幅度减少存储寿命的问题。
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Iceorigin
2024-03-01
生于忧患,死于安乐
每次写blob数据类型到KVDB中,block没写满就触发GC检查,反复把有效数据搬到另外一个block,然后执行脏回收从而擦除旧block。 2024.3.2编辑 此现象属于异常现象,正常来说没有使用满是不会设置为可回收分区
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