FlashDB每次添加KVDB都会触发GC检查异常状态

发布于 2024-02-29 16:47:17 浏览：700 订阅该版

图1 为FlashDB TreatKVBD 的 Block1
![截图分区1.png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20240229/f922607797d13f8451bb83ffc3bb5941.png)

图2 为FlashDB TreatKVBD 的 Block2
![截图分区2.png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20240229/0a36c1a0e8438f66cf25d865225b7d7a.png)

图3 为TreatKVBD 异常日志打印
![截屏3.png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20240229/3926b9142dfdf2af76eeebf4be24759a.png)

FlashDB每次添加KVDB都会触发GC检查异常状态。
请教技术高手帮忙分析一下原因。

2024.3.1 编辑
测试代码如下：
[TestCode-master.zip](https://club.rt-thread.org/file_download/e0242e3ac4236a51)

2024.3.2 编辑
抽个时间查找找这个问题

KVDB存储策略根据https://gitee.com/Armink/EasyFlash/blob/master/docs/zh/design.md

理论上KVDB 存储策略如下图所示：
![图1.png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20240302/108cb4600b9967d7eb58a31c94eebc9e.png)

但实际测试发现KVDB存储策略是按如下图所示：
![图2.png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20240302/50511243dfc5cb9d90673e8d9467d4c4.png)

根据仔细发现
![图3.png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20240302/77cb446fdbe30e482763a7aeeb4b6573.png)
sector->remain 这个参数只是保存在RAM 并没有写入ROM进行保存

根据这个现象推论：
若是处于运行状态下测试老化测试读写。理论上是没有问题的.
但加上复位系统测试，问题显而易见。
没有保存区块的剩余空间，每当存储读取sector->remain为0都会判断该区块剩余空间都为零（即使只写了一点）。
所以造成每次写KVBD数据的时候都会触发GC检查从而导致没有实现最初存储策略，可能会造成大幅度减少存储寿命的问题。