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沁恒CH32V
沁恒WCH
WCH APT 零等待FLASH的思考
发布于 2023-09-28 11:04:42 浏览:527
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[tocm] 问题 ------------ > 最近在思考沁恒德CH32V307的内存分配配置问题,可以通过配置用户控制字来实现FLASH和RAM的划分,划分出来的这块FLASH被命名为零等待区,执行速度快,当然后面还存在部分送的FLASH,这块FLASH执行是需要等待周期的。问题就来了那么是怎么实现的这种划分呢?百思不得其解? 于是咨询WCH: ![screenshot_1..png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20230928/39ca45e2a7ae8a8e9caf56246e1e7afc.png) 回复1: > 您好,RAM掉电数据会丢失,程序还是放在FLASH中的,只是上电运行时会将程序搬运到RAM,掉电后RAM中就没有数据了。 回复2: > 您好,你可以这么理解,以64+256的配置为例,只有64K那块区域是真正的RAM,那256K可以理解为运行速度较快的FLASH,你需要将data段搬运到真正的RAM区域即那64K的RAM区域里面。 事情分析到这就相对有个明确的理解了,网上大多数人说到上电时零等待FLASH区的数据会上载至同等大小的RAM中,并未说明这部分RAM的具体情况,这部分容易造成困惑。 ------------
其实可以这么理解,零等待区对应的这块RAM与实际作为RAM的那部分并不一样,所以纵使对应零等待FLASH区这部分代码被上载至零等待RAM区,其数据段和BSS段在启动时还是要从零等待区拷贝至作为RAM 的区域
> QAQ 要是一样应该就可以随意划分FALSH与RAM了,而不是提供几种配置。 当然这种技术已经遍地开花了,只是好像公开资料并不多。这部分就得夸一下APT了,下文是在APT找到的说明: ![screenshot_2..png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/20230928/9ea1f461813c4b4901902102e27a7f30.png.webp) ## STM32怎么做呢? > [ST](https://baike.baidu.com/item/ST/13466132?fromModule=lemma_inlink)M32F4是由ST([意法半导体](https://baike.baidu.com/item/意法半导体/6726007?fromModule=lemma_inlink))开发的一种高性能[微控制器](https://baike.baidu.com/item/微控制器/6688343?fromModule=lemma_inlink)系列。其采用了90nm的[NVM](https://baike.baidu.com/item/NVM/13580728?fromModule=lemma_inlink)工艺和ART技术(自适应实时存储加速器,Adaptive Real-Time MemoryAccelerator™) 当然上数的 *自适应实时*(ART)存储器*加速器*技术应该是不会授权的吧。 最后: 遥遥领先~
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rv666
调网络不抓包,调I2C等时序不上逻辑分析仪,就像电工不用万用表!多用整理的好的文字,比截图更省流量,还能在整理过程中思考。
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