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FAL
F103ZE移植FAL库，fal_flash_stm32f2_port.c的修改方法的问题
发布于 2019-07-16 13:04:20 浏览：3251
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采用正点原子精英板 F103ZET6 移植FAL库时，由于包里面的驱动port为F2，所以需要修改为F1系列的。 但是在移植的过程中，我首先修改为头文件为F1系列，但是随后编译过程中发现，类似FLASH_Sector_0的变量，都没有找到定义。然后自己定义了这一类的变量，然后发现，此文件的引用似乎来自于标准库函数。 所以发帖求助一下，有没有基于F1系列的FAL库的函数的移植指南，或者说有没有已经写好的BSP。 求助啊，大神们。
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pkokoc
2020-04-16
这家伙很懒，什么也没写！
[i=s] 本帖最后由 pkokoc 于 2020-4-16 12:00 编辑 [/i] **问题原因**： 由于STM32F1的片内FLASH组织结构与STM32F2、F4等的片内FLASH组织结构是不同的（具体请参加芯片数据手册）。因此对片内FLASH的read，write，erase 函数的实现也是不同的。需要根据不同的片内FLASH组织结构来实现这三个函数。 因此，像楼主这样的操作，只改引用头文件，而fal_flash_stm32f2_port.c文件内容不改变，其上述三个函数还是适用于STM32F2的。 **解决办法：** 其实rt-thread已经为我们实现了STM32FX系列FAL的读写擦除函数，在下面位置可找到。 [attach]15034[/attach] 我使用STM32F103VET6实际测试，发现有两个解决办法都可行。STM32F1系列应该都是适用的。其它系列未测试，思路应该是一样的。 1、如果自己对读，写，擦除没有特殊要求，可直接使用rt-thread提供的drv_flash_f1.c 文件。此时只需直接删除fal_flash_stm32f2_port.c文件，然后在fal_cfg.h中配置片内FLASH分区表即可。 2、可以吧drv_flash_f1.c 文件中的内容复制到 fal_flash_stm32f2_port.c 文件，完全替换 fal_flash_stm32f2_port.c 文件中的内容。（顺便rename一下文件名为 fal_flash_stm32f1_port.c，看起来顺眼一些）。编译的时候会优先使用 fal_flash_stm32f1_port.c 文件。 复制内容后，需要修改 fal_flash_stm32f1_port.c 中结构体fal_flash_dev的变量名，否则会提示重复定义 原内容： [attach]15035[/attach] 修改为： [attach]15036[/attach] 修改后，相应的fal_cfg.h中设备表中的片内FLASH设备名也需修改为 stm32f1_onchip_flash 下图是正确的执行结果 [attach]15039[/attach]
水清沙白
2019-07-16
这家伙很懒，什么也没写！
你这排版简直辣眼睛
知行992
2020-02-15
这家伙很懒，什么也没写！
解决了吗？同问
断崖独坐
2020-04-14
这家伙很懒，什么也没写！
解决了吗？求教
SayHello
2023-03-27
这家伙很懒，什么也没写！
按照第一个回答，调试成功了  一楼基本很清楚了，我补充一些细节： 在fal_flash_stm32f2_port.c文件开头添加一个#include "drv_flash.h" 文件最后保留fal_flash_dev结构体的声明 ```c const struct fal_flash_dev stm32f1_onchip_flash =//按自己芯片改，我这里是f103vet6 { .name = "stm32_onchip", .addr = 0x08000000, .len = 512*1024,/* 1024*1024, */ .blk_size = 2*1024,/* 128*1024, */ .ops = {NULL/* init */, stm32_flash_read, stm32_flash_write, stm32_flash_erase}, .write_gran = 32/* 8 */ /* stm32f1: 32 bit */ }; ``` 在编译器里别忘了加那个rt-thread提供的drv_flash_f1.c 文件
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