RT-Thread-关于easyflash4.0的写入和读取norflash一些疑惑咨询RT-Thread问答社区

关于easyflash4.0的写入和读取norflash一些疑惑咨询

发布于 2019-03-01 16:30:34 浏览：3102 订阅该版

* 本帖最后由 Sanjay_Wu 于 2019-3-1 16:48 编辑 *

最近学习easyflash，在移植到stm32的时候存在一些问题和疑惑：

1、使用fal实现easyflash对flash的读写函数，easyflash对flash的写入和读取要求最小单位为4个字节。

2、参考iot_board的easyflash例程代码，移植ef_fal_port.c的flash读取和写入函数：
```/**
 * Read data from flash.
 * @note This operation's units is word.
 *
 * @param addr flash address
 * @param buf buffer to store read data
 * @param size read bytes size
 *
 * @return result
 */
EfErrCode ef_port_read(uint32_t addr, uint32_t *buf, size_t size) {
    EfErrCode result = EF_NO_ERR;

EF_ASSERT(size % 4 == 0);

fal_partition_read(part, addr, (uint8_t *)buf, size);

return result;
}

/**
 * Erase data on flash.
 * @note This operation is irreversible.
 * @note This operation's units is different which on many chips.
 *
 * @param addr flash address
 * @param size erase bytes size
 *
 * @return result
 */
EfErrCode ef_port_erase(uint32_t addr, size_t size) {
    EfErrCode result = EF_NO_ERR;

/* make sure the start address is a multiple of FLASH_ERASE_MIN_SIZE */
    EF_ASSERT(addr % EF_ERASE_MIN_SIZE == 0);

if (fal_partition_erase(part, addr, size) < 0)
    {
        result = EF_ERASE_ERR;
    }

return result;
}
/**
 * Write data to flash.
 * @note This operation's units is word.
 * @note This operation must after erase. @see flash_erase.
 *
 * @param addr flash address
 * @param buf the write data buffer
 * @param size write bytes size
 *
 * @return result
 */
EfErrCode ef_port_write(uint32_t addr, const uint32_t *buf, size_t size) {
    EfErrCode result = EF_NO_ERR;

EF_ASSERT(size % 4 == 0);

if (fal_partition_write(part, addr, (uint8_t *)buf, size) < 0)
    {
        result = EF_WRITE_ERR;
    }

return result;
}```

上述函数知，在代码做了一些判断：**EF_ASSERT(size % 4 == 0);**   如果写入或读取不是4个字节为单位的话则会断言报错。

3、easyflash对于norflash（SPI-Flash）的写入粒度是1bit，擦除粒度是4K，我在ef_cfg.h定义如下：
```/* the minimum size of flash erasure */
#define EF_ERASE_MIN_SIZE         (4 * 1024)             /* 对于norflash，擦除粒度为4K */

/* the flash write granularity, unit: bit
 * only support 1(nor flash)/ 8(stm32f4)/ 32(stm32f1)/ 64(stm32l4) */
#define EF_WRITE_GRAN             (1)                ``````/* backup area start address */
#define EF_START_ADDR             0x00000000
/* ENV area size. It's at least one empty sector for GC. So it's definination must more then or equal 2 flash sector size. */
#define ENV_AREA_SIZE             (2 * EF_ERASE_MIN_SIZE)```

**4、问题**：

（1）、在移植编译下载后，easyflash初始化成功，但是在setenv的时候存在问题，也就是断言在写入的最小不是4字节：

（2）**如果把读写的函数里面的EF_ASSERT(size % 4 == 0);注释掉，就能够setenv，printenv等操作。**

我用的norflash使用的是w25q128。

**以上，存在此问题，如有知道的朋友麻烦帮你看一下，感谢！**

![正常图片.jpg](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/201903/01/164623i0106gb0h0vee6t7.jpg)

![出错图片.jpg](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/201903/01/164631p8nb2cma8mocausc.jpg)