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FAL
最新版EasyFlash写参数报错问题
发布于 2019-09-03 12:06:53 浏览:2137
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在上个月,我已经在STM32F103把 SFUD+FAL+ES4.0跑起来了。ES4.0用的是GC优化前的上一个版本。现在我的STM32L4板子打板回来了,我把工程原封转移到L4工程上。这次不同的是我顺便把ES更新到最新版,SFUD+FAL+ES+文件系统后初始化都成功。在执行ES写参数时报FAL写错误。把写参数代码注释掉,手动执行fal全套测试指令,一切正常。 FAL + ES + 文件系统初始化放在main函数里依然无法解决。最新GC优化版本ES,自从更新后,我在F103上片内分区跑不通,报错,帖子也发了,类似的帖子也有。现在换成L4片内的终于不报错,而是报写参数出错了。求救。 ![2222.png](https://oss-club.rt-thread.org/uploads/201909/03/120648wktr1iaym8e8uuur.png)
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bevis
2019-09-03
这家伙很懒,什么也没写!
我把ES初始化放到FAL测试完成后才进行,片内分区明明测试过了,却还是提示内部分区写失败。完全没辙了
bloody41760
2019-09-03
这家伙很懒,什么也没写!
L4你要改一个地方,判断一下写入的是不是FF 如果是 就别写
bevis
2019-09-03
这家伙很懒,什么也没写!
研究了几个小时,真心放弃了。结论是:L4片内搞不定,换成外置flash分区可以 来来去去就2个参数 PKG_EASYFLASH_ERASE_GRAN + 64bit,ENV参数区大小是2倍的ERASE_GRAN关系。用在L4片内死活异常不能写,fal又可以操作。 最终我把ES分区放到外部flash了,外部flash竟然能用,一样的配置ERASE_GRAN + 1bit. ERASE_GRAN可以根据你需要参数自由划分大于4096都可以。
armink
2019-09-03
这家伙很懒,什么也没写!
很遗憾,由于 L4 flash 的特殊限制,只能顺序写入,不能逆序写入,导致 EasyFlash 4.0 无法使用,所以建议 L4 使用 EasyFlash V3.X 版本
tsx1983
2019-09-04
这家伙很懒,什么也没写!
>很遗憾,由于 L4 flash 的特殊限制,只能顺序写入,不能逆序写入,导致 EasyFlash 4.0 无法使用,所以建议 ... --- F0是不是存在同样的限制?
armink
2019-09-04
这家伙很懒,什么也没写!
>F0是不是存在同样的限制? --- F0 不清楚,你可以自己测试下,比如先在地址 10 写入数据,再去 0 地址写入数据,看能否写入正常
bevis
2019-09-08
这家伙很懒,什么也没写!
>F0 不清楚,你可以自己测试下,比如先在地址 10 写入数据,再去 0 地址写入数据,看能否写入正常 ... --- 龙哥,ES如果不开启LOG功能,开启IAP,ENV大小是8K,剩余的部分全都是IAP空间吗?
armink
2019-09-09
这家伙很懒,什么也没写!
>龙哥,ES如果不开启LOG功能,开启IAP,ENV大小是8K,剩余的部分全都是IAP空间吗? ... --- 对
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